Faça seu login ou cadastre-se

Cadastre-se em nossa loja para acompanhar pedidos e finalizar suas compras com agilidade!

Cadastrar
Seu carrinho está vazio
Navegue por nossa loja e encha seu carrinho com as melhores ofertas!

Memória RAM 16GB para Servidor HPE Cloudline CL2100 DDR4-2666MHz ECC Registrada Gen10

Part Number: Memória RAM 16GB 2666MHz para Serv. HPE Cloudline CL2100 Gen10
Mais Visões
OK em estoque, envio imediato
NCM: 8473.30.42
Garantia: Garantia diretamente com a HPE de 1 ano
Por: R$2.193,75
à vista no PIX / BOLETO / DEPÓSITO / TED R$1.755,00
em até 1x de R$2.193,75 sem juros
ou 6x de R$415,63 3,79% a.m.
Parcelado
  • 1x de R$2.193,75
    sem juros
  • 2x de R$1.159,62
    Total R$2.319,24
    3,79% a.m.
  • 3x de R$787,37
    Total R$2.362,11
    3,79% a.m.
  • 4x de R$601,37
    Total R$2.405,48
    3,79% a.m.
  • 5x de R$489,87
    Total R$2.449,35
    3,79% a.m.
  • 6x de R$415,63
    Total R$2.493,78
    3,79% a.m.
ok + -

Caso sua empresa seja contribuinte de ICMS, faça contato com nossa equipe, para verificar incidência de ICMS-ST.

Adicionar à lista de compras
Calcular frete
Achou preço melhor? Clique aqui!

Achou preço melhor?

Caso encontre em algum concorrente e/ou site um preço melhor do que o nosso, preencha os campos abaixo e nos envie para verificarmos possíveis descontos.

Captcha

* Campos Obrigatórios

Cote para mais de 1 peça Clique aqui!

Cote com desconto para duas peças ou mais

Captcha

* Campos Obrigatórios

Descrição do Produto

Memória RAM 16GB para Servidor HPE Cloudline CL2100 DDR4-2666MHz ECC Registrada Gen10

HP Enterprise SmartMemory DDR4 para Servidores HP Enterprise Gen10

HPE (Hewlett-Packard Enterprise) DDR4 SmartMemory oferece excelente desempenho, confiabilidade e eficiência. Nossa grande seleção de soluções de memória do servidor fornece a compatibilidade, capacidade e largura de banda que você precisa para gerenciar de forma produtiva sua carga de trabalho em expansão com o servidor HPE ProLiant Gen9 e Gen10, Apollo Family, Synergy e Blade Systems. A qualidade e a confiabilidade da DRAM são mais importantes agora do que nunca, como tendências do Data Center, como a virtualização de servidores, a computação em nuvem, o uso de grandes aplicativos de banco de dados. Todos aumentaram a necessidade de memória de maior capacidade com maior tempo de atividade.

O HP  SmartMemory passa por rigorosos processos de qualificação e teste que desbloqueiam recursos de desempenho de memória estendidos disponíveis apenas com os servidores Hewlett Packard Enterprise Gen9 e Gen10. Este extenso teste garante que a memória do servidor HP Enterprise seja completamente compatível e otimizada para servidores HP.

Servidores que desbloqueiam certos recursos disponíveis apenas com a memória do servidor qualificado HPE. HPE SmartMemory permite a Servidores ProLiant Gen9 e Gen10 identificar e verificar de forma confiável se a memória instalada passou pelos rigorosos processos de qualificação e teste HPE. E porque a memória é autenticada, os recursos de desempenho de memória estendida podem ser ativados através da ROM do sistema.

Uma vez que a memória desempenha um papel crítico em seu datacenter, a HP Qualified Memory é obtida apenas de fornecedores DRAM de nível 1. Mais importante ainda, o rigoroso teste e o processo de qualificação líder da indústria se estendem além da prática padrão da indústria. O HP SmartMemory verifica se a sua memória foi testada e o desempenho ajustado especificamente nos servidores HP ProLiant. A maioria dos fornecedores de memória de terceiros simplesmente não faz isso ou não é capaz de testar o nível da plataforma. O HP SmartMemory também garante que você esteja recebendo a memória qualificada HP genuína.

Especificação Técnica da Memória 16GB RAM HPE para Servidor Cloudline CL2100:

Fabricante

HP Enterprise

Capacidade da Memória

16 GB

Tecnologia da Memória

DDR4

Velocidade da Memória

2666 MHz

Voltagem

1.2 V

ECC

ECC DIMM Registrada

Rank

2 rank X8

CAS Latência

19-19-19

Part Number do Fabricante 

835955-B21

Part Number Sobressalente (Spare)

840756-291
840756-091

Part Number de Montagem (Assembly)

868846-001

 

Visão geral da tecnologia de memória DDR4

Noções básicas sobre DIMMs

Antes de explorar as novas tecnologias em DIMM DDR4 para servidores ProLiant Gen10 (geração 10), revisemos rapidamente alguns dos conceitos básicos da tecnologia DIMM. DRAM da tecnologia DIMM são compostos de chips DRAM que são agrupados para formar uma ou mais ranks. Cada chip DRAM contém arrays de locais de armazenamento de bits individuais. Um chip DRAM com um bilhão de locais de armazenamento é chamado de tecnologia de 1 Gigabit (1 Gb). Observe a minúscula b em Gb. Oito chips de 1 Gb juntos podem fornecer 1 Gigabyte (1 GB) de memória. Observe as maiúsculas e minúsculas B em GB. DIMMs DDR4 atualmente usam chips DRAM de 4 Gb e 8 Gb. Não é possível misturar tecnologias DRAM no mesmo DIMM. Um chip DRAM pode ter 4 dados de sinais de I/O ou 8 dados de sinais de I/O. Estes são chamados x4 ou x8, pronunciados "X quatro" ou "X oito", respectivamente.

Ranks

Um rank é um grupo de chips DRAM que são agrupados para fornecer 64 bits (8 Bytes) de dados no barramento de memória. Todas os chips em um rank são controladas simultaneamente pelos mesmos sinais de Chip Select, Endereço e Comando. Os DIMMs DDR4 estão disponíveis em single-,dual- e quad-ranks (1, 2 e 4 ranks respectivamente).
Oito x8 chips DRAM ou 16 x 4 chips formam um rank. Todos os DIMMs para servidores HP Enterprise ProLiant com 8 bits de Código de Correção de Erro (ECC) usam nove chips x8 e 18 x 4 chips para cada rank.

Velocidade

Velocidade refere-se à freqüência do clock da memória. O subsistema de memória usa um clock diferente dos núcleos do processador e os controladores de memória usam esse clock para coordenar as transferências de dados entre o controlador de memória e os DIMMs. A velocidade real na qual esse clock funciona em um servidor específico depende de cinco fatores:

• Velocidade de memória nominal do processador. Cada modelo de processador Intel Xeon suporta uma velocidade de memória máxima específica.

• Velocidade de memória nominal do DIMM. Os DIMM DDR4 podem ser executados em diferentes velocidades ou frequências. 

• Número de ranks em um DIMM. Cada rank em um canal de memória adiciona uma carga elétrica. À medida que as cargas elétricas aumentam, a integridade do sinal se degrada. Para manter a integridade do sinal, o canal de memória pode ser executado a uma velocidade menor.

• Número de DIMMs preenchidos em um canal. O número de DIMMs anexados a um controlador de memória também afeta o carregamento e a integridade do sinal dos circuitos do controlador. Para manter a integridade do sinal, o controlador de memória pode operar DIMMs em uma velocidade inferior à sua. Em geral, quanto mais DIMMs forem preenchidos, menor será a velocidade operacional para os DIMMs.

• Configurações da BIOS. A ativação de determinados recursos do BIOS pode afetar a velocidade da memória. Por exemplo, o ROM Based Setup Utility (RBSU) nos servidores HPE ProLiant inclui uma configuração selecionável pelo usuário para forçar a memória a ser executada a uma velocidade mais lenta do que a velocidade normalmente configurada para economizar no consumo de energia. Consulte a seção sobre as configurações da BIOS para obter detalhes.

Introdução à memória DDR4

DDR4, a tecnologia DDR SDRAM de quarta geração, usa refinamentos em tecnologias de memória para oferecer melhorias tanto na largura de banda e consumo de energia sobre a memória DDR3 utilizada nas quatro gerações anteriores (G6, G7, Gen8 e Gen9) dos servidores HPE ProLiant.

Tecnologia de memória DDR4

A memória DDR4 incorpora vários aprimoramentos de teclas projetados para aumentar o desempenho, reduzir o consumo de energia e aumentar a confiabilidade em comparação com a memória DDR3. O conector DDR4 usa 288 pinos (em comparação com 240 pinos em DDR3). Esses sinais extras são cruciais para oferecer o melhor desempenho da memória DDR4 em relação ao DDR3. O entalhe no conector DIMM DDR4 também está localizado em uma posição diferente em relação ao conector DDR3. Isso evita a inserção acidental de um DIMM DDR3 em um sistema DDR4. As principais melhorias tecnológicas para DDR4 incluem todos os seguintes:

• Operação de 1,2 volts. Toda a memória DDR4 funciona a 1,2 volts, em comparação com 1,35 ou 1,5 volts de memória DDR3. Isso proporciona economias significativas de energia do sistema, particularmente em configurações de memória maiores.

• 16 bancos de memória por rank. Internamente, as DRAM usadas em DIMMs são organizadas em arrays de células definidas por bancos, linhas e colunas. A memória DDR4 tem 16 bancos de memória em um chip DRAM em comparação com os 8 bancos em DDR3. Isso permite um aumento no número de solicitações de memória que podem ser enfileiradas pelo controlador de memória. É um dos contribuintes para a menor latência da memória DDR4.

• Seleção de Rank codificada. DDR4 elimina o trabalho conhecido como multiplicação de rank que DDR3 empregou para habilitar 4 fileiras de memória em LRDIMMs usando as tradicionais linhas de seleção de chips. Quando há oito ou menos fileiras totais instaladas em um canal de memória, o DDR4 usa o modo de seleção de chip direto tradicional para endereçar o rank correto. Quando mais de oito ranks estão instaladas, o DDR4 usa codificação de 4 bits para seleção do valor do rank selecionado. Este valor codificado é interpretado pelos registros nos DIMMs para determinar o rank correto para permitir a operação da memória. Este novo esquema de seleção de chip codificado permite que a memória DDR4 atinja teoricamente endereços para até 24 ranks de memória em um canal de memória.

• Repetir o erro.
A memória DDR4 e os novos controladores de memória repetirão uma solicitação de memória sempre que ocorrer um erro de memória ou erro de paridade de endereço. Isso reduz o número de interrupções do sistema que podem ter ocorrido devido a erros transitórios em gerações anteriores de subsistemas de memória.

Velocidades DDR4

A especificação DDR4 define taxas de dados eventuais de até 3200 Mega transferências por segundo (MT/s), mais de 70% mais rápido do que as 1866 MT/s da última iteração da velocidade da memória DDR3. A memória DDR4 para servidores de dois soquetes HP Enterprise ProLiant Gen10 funcionará a velocidades de dados de até 2666 MT/s - dependendo da configuração da memória e da versão específica do processador Intel Xeon Scalable no servidor. Esta é uma melhoria de 43% em relação à velocidade de memória de 1866 MT/s suportada na última geração de servidores com memória DDR3!

HP Enterprise DDR4 SmartMemory

HPE DDR4 SmartMemory oferece melhorias significativas em relação às gerações de memória anteriores. Ao contrário da memória de terceiros, o HPE SmartMemory é autenticado pelo servidor para verificar se a memória passou pela rigorosa qualificação e teste da HPE, garantindo que você esteja usando a memória do servidor da mais alta qualidade.

Para os servidores HPE Gen10 ProLiant usando o processador Intel Xeon Família Scalable, o HPE DDR4 SmartMemory agora é capaz de operar em 2666 MT/s, oferecendo um aumento de 12,5% no throughput máximo sobre a memória DDR4 anterior e um aumento de 29% em relação à última geração de Memória DDR3. Para aplicações que requerem capacidade máxima de memória, os HPE SmartMemory Load Reduced DIMMs (LRDIMMs) reduzem a carga elétrica para o controlador de memória, permitindo que a memória de maior capacidade seja executada na velocidade máxima em todas as configurações.

O HPE SmartMemory também oferece os seguintes benefícios em relação à memória de terceiros quando usado nos servidores ProLiant Gen10:

• Desempenho avançado: em muitas duas configurações DPC ou três DPC, o HPE SmartMemory opera a uma taxa de transferência maior do que os DIMM DDR4 padrão da indústria, oferecendo melhor desempenho de memória.

• Gerenciamento aprimorado: o HPE SmartMemory integra com o HPE Active Health System para melhorar o monitoramento, relatórios e problemas de diagnósticos.

HPE Advanced Memory Error Detection technology

Erros de memória não corrigíveis podem fazer com que aplicativos e sistemas operacionais falhem, por isso são caros em termos de tempo de inatividade e reparos. A melhor maneira de evitar substituições de DIMMs desnecessárias é filtrar erros supérfluos e identificar erros críticos que podem levar a um desligamento. Você não pode mais confiar em simples contagens de eventos de erro em sistemas que contenham até 14 trilhões de transistores de memória. Com a Tecnologia de Detecção de Erros de Memória Avançada HPE, reinventamos um sistema de precisão para identificar erros que causam tempo de inatividade.

A tecnologia HPE Advanced Memory Error Detection technology busca defeitos específicos que causam degradação de desempenho ou significativamente aumentam a probabilidade de uma condição de memória não corrigível (não recuperável). Ao melhorar a previsão de eventos de memória não recuperável, esta tecnologia evita substituições de DIMMs desnecessárias e aumenta o tempo de atividade do servidor.

A mais recente adição ao conjunto de tecnologias de detecção de erros HPE é Fast Fault Tolerance, que permite que um servidor inicialize com desempenho de memória total durante o monitoramento das falhas do dispositivo DRAM. No caso de uma falha de memória, o subsistema de memória reorganiza automaticamente a forma como os dados são armazenados na memória para criar uma região protegida apenas grande o suficiente para corrigir a falha DRAM, ao mesmo tempo que permite as porções restantes de memória para continuar a rodar no desempenho total.

O que é HPE SmartMemory HPE 16GB Dual Rank x8 DDR4-2666 Registered para Servidor Cloudline CL2100?

O HPE SmartMemory é uma tecnologia exclusiva projetada para servidores HP Enterprise. Ele passa rigorosos testes de qualificação e otimiza o desempenho da memória nos servidores HPE ProLiant de Rack e Torre, família Apollo, Sistemas Blade e sistemas Synergy. O HPE SmartMemory autenticado suporta o desempenho da memória estendida no cenário competitivo e fornece aos clientes aprimoramento do serviço através dos sistemas de saúde ativos HPE e outros softwares proprietários da HPE.

Qualidade e Performance da memória HPE 16GB Dual Rank x8 DDR4-2666 Registered para Servidor Cloudline CL2100

Os ambientes de TI de hoje estão vendo aplicações maiores e mais complexas, um aumento de dados de missão crítica que se deslocam para os Servidores, aumentando a demanda por processamento de transações e consolidação crítica de servidores. Memória é um componente crítico do sistema de informação, definindo significativamente a confiabilidade, desempenho e cada vez mais o tamanho geral do servidor e do Data Center. É por isso que a Memória Qualificada HPE sofre um intenso processo de qualificação rigoroso que começa com o uso de componentes de alta qualidade provenientes de fornecedores de DRAM de nível 1. Somente a memória que atende aos requisitos rigorosos da Hewlett Packard Enterprise é selecionada para iniciar o processo de Qualificação da Memória HPE. Ao contrário da maioria dos fabricantes de memória de terceiros, o teste é realizado e otimizado em todas as plataformas do servidor HPE ProLiant para garantir a máxima compatibilidade, desempenho e confiabilidade.

O HPE SmartMemory sofre um rigoroso processo de qualificação para fornecer aos nossos clientes as mais altas opções de qualidade de memória do servidor. Seu desempenho é testado e otimizado para servidores HPE, suportando recursos únicos somente disponíveis com servidores HP ProLiant de Rack e Torre, família Apollo, sistemas Blade e Synergy. Além disso, ele melhora o volume de memória até 23% e consegue uma melhora em latência de até 25%.

HPE Active Health System da memória HP 16GB Dual Rank x8 DDR4-2666 Registered para Servidor Cloudline CL2100

As futuras atualizações da ROM permitirão que o HPE SmartMemory funcione em conjunto com o sistema de saúde ativo HPE, que monitora as mudanças na configuração do hardware do servidor para permitir o monitoramento do ciclo de vida do estado da saúde da memória. A percepção de eventos relacionados ao serviço da memória encurtará o diagnóstico de problemas e fornecerá resoluções rápidas se e quando ocorrerem falhas. Enquanto o alerta pré-falha simplesmente notifica o administrador de uma falha iminente, o HPE SmartMemory pode fornecer informações detalhadas sobre eventos relacionados à memória, como erros de vários bits ou problemas de configuração.

Eficiência Energética da memória HP 16GB Dual Rank x8 DDR4-2666 Registered para Servidor Cloudline CL2100

A memória desempenha uma parte cada vez maior do consumo de energia do servidor e escolher a memória mais eficiente é um componente crítico na redução dos requisitos gerais de energia e refrigeração do seu Data Center. Essa economia se traduz em custos operacionais reduzidos e retorno de investimento mais rápido, liberando o orçamento de TI do gasto em energia e refrigeração. A Hewlett Packard Enterprise está empenhada em ajudá-lo a obter o máximo benefício por watt da sua infraestrutura de TI. Por exemplo, a memória padrão HPE DDR4-2133 Registrada é projetada para atingir o nível de desempenho muito maior, uma vez que a memória é de 1,2 V e que economiza até 35% mais de energia quando comparada à DDR3-1866 a 1.5V. Isso também simplifica o portfólio de memória HPE, facilitando a seleção da memória certa.

Alerta pré-falha Cloudline CL2100

Quando usado em conjunto com o Systems Insight Manager, o firmware compatível com SMART permite recursos de previsão de falhas. Se problemas potenciais se desenvolvem em um dos DIMMs, o Systems Insight Manager permite que você conheça antecipadamente para que o DIMM seja substituído, antes que ele falhe, sob garantia.
NOTA: A memória HPE é protegida por um aviso de pré-falha quando usado com o HPE Systems Insight Manager, permitindo que a memória seja substituída antes da falha na garantia. Além disso, a memória HPE é coberta por um período de garantia no local de um ou três anos para o sistema no qual eles estão instalados. A garantia de memória é aumentada automaticamente quando usada em um servidor para o qual um Care Pack é adquirido.

HP - Recursos de proteção de memória RAM

Os dados armazenados em memória DDR3 nos servidores HP ProLiant são protegidos de determinadas falhas DIMM pela tecnologia ECC (Código de Correção de Erro). Além disso, algumas técnicas avançadas de proteção de memória também estão disponíveis.

ECC

Todos os DIMM DDR4 qualificados da HP fornecem proteção de dados ECC. Normalmente a função ECC pode corrigir erros de um único bit e detectar erros de bit duplo.

Advanced ECC

O termo "Advanced ECC" da HP significa que o servidor corrige erros de múltiplos bits, quantos bits dependem da implementação. Normalmente, isso é até um erro de 4 bits dentro de um "nibble". Os erros de vários bits que atravessam os limites de um "nibble", mas permanecem dentro de dois "nibbles" serão todos detectados. O ECC avançado não é exatamente o mesmo que o ChipKill ™ 1, que é um termo da IBM. Na família de processadores Xeon 5500, o Advanced ECC é equivalente ao ChipKill e o modo Lock-Step é equivalente ao ChipKill x8 ou de 8 bits.

HP Advanced Memory Error Detection

Ao longo dos últimos cinco anos, o tamanho médio das configurações de memória do servidor aumentou em mais de 500%. Com essas capacidades de memória aumentadas, os aumentos nos erros de memória são inevitáveis. Felizmente, a maioria dos erros de memória são transitórios e corrigíveis. Os subsistemas de memória atuais podem corrigir até um erro de memória de 4 bits nos 64 bits de dados que são transferidos em cada ciclo de memória. A tecnologia HP Advanced Memory Error Detection introduz refinamentos para a tecnologia de detecção de erros. Em vez de simplesmente contar cada erro de memória corrigível, esta nova tecnologia analisa todos os erros corrigíveis para determinar quais são as maiores probabilidades de causar erros incorretos no futuro. Com esta abordagem avançada, a Detecção avançada de erros de memória HP é capaz de monitorar melhor o subsistema de memória e aumentar a eficácia da notificação de alerta de pré-falha. Todos os servidores ProLiant G61 G7, Gen8, Gen9 e Gen10 possuem HP Advanced Memory Error Detection.

Espelhamento de memória RAM

O modo de memória espelhada é uma opção de memória tolerante a falhas que fornece um maior nível de disponibilidade do que a proteção ECC avançada. O modo Mirrored Memory oferece proteção total contra erros de um bit e multi-bit. Com o modo de memória espelhada ativado, dados idênticos são escritos em dois canais simultaneamente. Se uma memória lida de um canal retorna dados incorretos devido a um erro de memória não corrigível, o sistema recupera automaticamente os dados do outro canal. O espelhamento não é perdido devido a um erro transiente ou suave em um canal e a operação continua até o caso altamente improvável de um erro simultâneo exatamente no mesmo local em um DIMM e seu DIMM espelhado. Modo de memória espelhada reduz a quantidade de memória disponível para o sistema operacional em 50%, uma vez que apenas um dos dois canais populados fornece dados. Em um servidor baseado no processador da série Intel Xeon 5500 que suporta o Espelhamento de Memória, apenas dois canais podem ser preenchidos ao habilitar o Espelhamento de Memória. Para o espelhamento, o canal 3 permanece despovoado. Os canais 1 e 2 são preenchidos de forma idêntica.

Regras e Diretrizes Gerais da Instalação de Memórias:

Para servidores HPE Gen9:

• Instale DIMMs somente se o processador correspondente estiver instalado.
• Se apenas um processador estiver instalado em um sistema de dois processadores, apenas metade dos slots DIMM estão disponíveis.
• Para maximizar o desempenho, recomenda-se equilibrar a capacidade de memória total entre todos os processadores instalados e carregar os canais de forma semelhante sempre que possível.
• Quando dois processadores estão instalados, divida os DIMMs nos dois processadores.
• As ranhuras DIMM brancas indicam o primeiro slot a ser preenchido em um canal.
• Coloque os DIMMs com o maior número de ranks no slot branco ao misturar DIMMs de diferentes ranks no mesmo canal.
• A mistura de tipos de DIMMs (UDIMM, RDIMM e LRDIMM) não é suportada. Não é compatível misturar o LRDIMM de 128GB com outras capacidades. Os servidores HPE Gen9 com LRDIMMs de 2400MT/s de Quad rank são capazes de até 3DPC.
• DIMMs de velocidades diferentes podem ser misturados em qualquer ordem; o servidor selecionará uma velocidade ótima comum.
• A velocidade máxima da memória é uma função do tipo de memória, configuração de memória e modelo de processador.
• A capacidade máxima de memória é uma função do tipo de memória e do número de processadores instalados. Para ativar o modo de memória espelhada, o sistema aloca metade da memória instalada como memória do sistema e a metade restante como memória espelhada.
• Todos os canais de memória devem ser configurados de forma idêntica.
• Para servidores HPE Gen9, apenas um RDIMM pode ser misturado com HPE NVDIMM
• Ao instalar o NVDIMM(s) no mesmo canal de memória que o RDIMM(s), preencha os RDIMM(s) primeiro e mais distante do processador, preencha o NVDIMM(s) no último e mais próximo do processador.

Para servidores HPE Gen10:

• Instale DIMMs somente se o processador correspondente estiver instalado
• Se apenas um processador estiver instalado em um sistema de dois processadores, apenas metade dos slots DIMM estão disponíveis.
• Para maximizar o desempenho, recomenda-se equilibrar a capacidade total da memória entre todos os processadores instalados.
• Quando dois processadores estão instalados, balance os DIMMs nos dois processadores.
• Os slots de DIMMs brancos indicam o primeiro slot a ser preenchido em um canal.
• A mistura de tipos de DIMMs (UDIMM, RDIMM e LRDIMM) não é suportada.
• A velocidade máxima da memória é uma função do tipo de memória, configuração de memória e modelo de processador.
• A capacidade de memória máxima é função do número de slots DIMMs na plataforma, a maior capacidade DIMM qualificada na plataforma, o número e o modelo dos processadores instalados qualificados na plataforma.

Memória RAM 16GB HPe DDR4 ECC Resgistrada para Servidor Cloudline CL2100 é compativel com Servidor HPE e os seguintes sistemas:

  • HPE ProLiant BL460c Gen10 Server Blade
  • HPE ProLiant DL160 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DL180 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DL325 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DL360 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DL380 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DL385 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DL560 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DL580 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DX170r Gen10 Server
  • HPE ProLiant DX190r Gen10 Server
  • HPE ProLiant DX360 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DX380 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DX560 Gen10 Server
  • HPE ProLiant DX4200 Gen10 Server
  • HPE ProLiant ML110 Gen10 Server
  • HPE ProLiant ML350 Gen10 Server
  • HPE ProLiant XL170r Gen10 Server
  • HPE ProLiant XL190r Gen10 Server
  • HPE ProLiant XL230k Gen10 Server
  • HPE ProLiant XL2x260w Gen10 Server
  • HPE Synergy 480 Gen10 Compute Module
  • HPE Synergy 660 Gen10 Compute Module
  • HPE Cloudline CL2100 Gen10 Server
  • HPE Cloudline CL2200 Gen10 Server
  • HPE Cloudline CL2600 Gen10 Server
  • HPE Cloudline CL2800 Gen10 Server
  • HPE Cloudline CL3100 Gen10 Server

Compre na Autorizada HPE do Brasil sua Memória RAM 16GB para Servidor Cloudline CL2100.
Assistência técnica autorizada da Memória RAM 16GB para Servidor HPE Cloudline CL2100 para manutenção fora da garantia.
Memória RAM 16GB para Servidor HPE Cloudline CL2100 Compre de uma revendedor (loja) autorizado do fabricante e tenha certeza de uma compra de um produto original!
Memória RAM 16GB para Servidor HPE Cloudline CL2100 Produto original e novo sem uso anterior.
Memória RAM 16GB para Servidor HPE Cloudline CL2100 Produto a pronta entrega, com prazo de entrega em poucos dias em todo o Brasil.
Tentamos sempre ter o menor preço do mercado, mas se mesmo assim encontrar por menos, favor preencher o formulário de "Achou Preço Melhor" na caixa Azul ao lado das fotos do produto.

 

Cloudline CL2100 Publicado em 08/04/2021 09:10 BA 

Seu carrinho está vazio
Navegue por nossa loja e encha seu carrinho com as melhores ofertas!